igbt

• igbt ( insulated gate bipolar transistor )
  türkçe meali : yalıtılmış kapılı iki kutuplu transistör
  
  3 terminali bulunan, 4 katmandan oluşan yarıiletken bir güç elemanıdır. 1982 yılında bulunmuştur. mosfet ve bjt transistörlerinin iyi olan özelliklerinin bir araya getirilmesi mantığıyla oluşturulan bir yarıiletken devre elemanıdır. sürme açısından mosfet kadar kolay sürülürken, güç iletimi ve yüksek akım taşıması yönünden ise bjt transistörlerine benzemektedir. verimleri yüksektir. yani kayıp güçleri düşüktür.hız bakımından normal tristörlerden daha hızlı,fakat mosfet lerden daha yavaş olmasına rağmen her iki elemandan kayıpları daha azdır. yüksek akım taşıma kapasitesine sahiptirler.hem sürmesi kolay hemde verimi yüksektir, iletim kayıpları düşüktür. yüksek empedanslı girişi vardır. yani mosfet ler gibi giriş dirençleri çok büyüktür. dolayısı ile küçük bir sinyalle kumanda edilebilirler. yüksek frekanslarda kullanılıyor olmaları güç elektroniği devrelerinde kullanım alanlarını arttırmıştır.